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半導(dǎo)體分立器件測試儀

更新時間:2020-08-18點(diǎn)擊次數(shù):798
產(chǎn)品名稱:半導(dǎo)體分立器件測試儀
產(chǎn)品型號:CS2935

半導(dǎo)體分立器件測試儀型號:CS2935
 
一、產(chǎn)品特點(diǎn):
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護(hù)系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計(jì)算機(jī)操控,測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點(diǎn)測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實(shí)際測試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
二、測試參數(shù)
1. 二管      
VF、IR、BVR
2.  穩(wěn)壓(齊納)二管   
VF、IR、BV Z
3.  晶體管       Transistor(NPN型/PNP型)
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4.   可控硅整流器(晶閘管)   
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 
5.  場效應(yīng)管   
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


6.  光電耦合器       
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV

三、測試參數(shù)范圍

晶體管

 

測試參數(shù)

測試范圍

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1-99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0.       10V-50V

50V-1499V

 

二管

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

 

50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

 

光耦

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

 

可控硅

 

 

測試參數(shù)

測試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

 

四、技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

主壓流源 (VA)

      電壓:

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

 

電流:

 

 

測量范圍

精度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

 

壓流源 (VB)

      電壓:

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

 

電流:

 

 

測量范圍

精度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

 

源(HV)

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

0~1500

±(1.22V+1%set)

 

*1500V時 大輸出為5mA。

2、電壓表的指標(biāo)

測漏電流

 

 

測量范圍

精度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

 

測試電壓

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

 

測擊穿電壓

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

(0~50)V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

(50~1500)V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍數(shù)

 

 

設(shè)定范圍(V)

精度

1~9999

1%

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